Murata bringt weltweit ersten 1210-1,25kV-C0G-MLCC auf den Markt — 15nF Hochspannungs-Keramikkondensator für SiC-Designs

Produktankündigung
Am 2. Dezember 2025 kündigte Murata Manufacturing Co., Ltd. die Entwicklung und Massenproduktion des weltweit ersten 1210inch (3,2×2,5mm) Mehrschicht-Keramikkondensators mit 1,25kV Nennspannung, C0G-Temperaturcharakteristik und 15nF Kapazität an. Dieser MLCC wurde speziell für On-Board-Ladegeräte (OBCs) und Hochleistungs-Stromversorgungsschaltungen mit SiC-MOSFETs entwickelt.
Dies ist das erste Mal, dass Murata 1,25kV mit C0G-Charakteristik in einem 1210-Gehäuse kombiniert. Zuvor benötigten vergleichbare Hochspannungs-C0G-Produkte größere Gehäuse wie 1812 oder 2220. Die 1210-15nF-Ausführung reduziert die Leiterplattenfläche erheblich. Die Produktlinie umfasst 4,7nF bis 15nF mit ±1% bis ±5% Toleranz und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +125°C.
Technische Analyse — Warum SiC-MOSFETs diesen Kondensator benötigen
In OBCs und Hochspannungs-DC-DC-Wandlern ersetzen SiC-MOSFETs zunehmend traditionelle Si-MOSFETs. SiC-Bauelemente schalten schneller (dV/dt bis über 100V/ns) mit geringeren Durchlassverlusten, erfordern jedoch Resonanz- und Snubber-Kondensatoren, die über 1,2kV Spannungsbelastung standhalten und dabei stabile Kapazität und niedrigen ESR bei erhöhten Temperaturen gewährleisten.
C0G (NP0) ist das stabilste verfügbare MLCC-Dielektrikum mit einem Temperaturkoeffizienten von nur ±30ppm/°C — die Kapazität bleibt über Temperatur und Spannung nahezu konstant. Dies ist entscheidend für Resonanzkreise: Die Schaltfrequenz eines LLC-Resonanzwandlers hängt von der präzisen Resonanzkapazität ab. Jede Drift führt zu Effizienzverlust und erhöhter EMV. Der extrem niedrige Verlustfaktor (DF < 0,1%) von C0G bietet erhebliche Vorteile bei Hochfrequenzanwendungen.
Murata erreichte diesen Durchbruch durch die patentierte Dünnschichttechnologie für Keramikkörper und Innenelektroden, die ausreichend Elektrodenschichten im 1210-Gehäuse unterbringt, um 15nF zu erreichen und gleichzeitig 1,25kV Spannungsfestigkeit zu gewährleisten — eine außergewöhnlich anspruchsvolle Fertigungsleistung.
Anwendungsanalyse
OBC-Resonanzkreise: 6,6kW und 11kW OBCs verwenden typischerweise LLC- oder CLLC-Resonanztopologien. Der Resonanzkondensator muss hohen Spitzenspannungen und -strömen standhalten und gleichzeitig präzise Kapazität zur Frequenzerhaltung bieten. Der 1,25kV/15nF C0G MLCC kann Folienkondensatoren mit geringerer Größe und höherer Zuverlässigkeit ersetzen.
SiC-Snubber-Schaltungen: Abschaltvorgänge von SiC-MOSFETs erzeugen extrem hohes di/dt mit Spannungsspitzen über 1kV. Snubber-Kondensatoren müssen gleichzeitig Hochspannungsfestigkeit, geringe Verluste und Temperaturstabilität bieten. C0G-MLCCs mit ultra-niedrigem ESR und hoher dV/dt-Festigkeit sind ideal für RCD-Snubber.
Hochspannungs-DC-DC-Wandler: In 800V-Batterieplattformen benötigen DC-DC-Module eingangsseitige Filter- und Resonanzkondensatoren mit hoher Spannungsfestigkeit. C0G gewährleistet stabile Kapazität über den gesamten Temperaturbereich von -55°C bis +125°C.
Lieferketten- und Beschaffungsempfehlungen
Hochspannungs-C0G-MLCCs sind Produkte mit hoher Wertschöpfung und hohen technologischen Eintrittsbarrieren. Das 1,25kV 1210-C0G-Bauteil ist derzeit exklusiv bei Murata erhältlich, sodass die Erstversorgung begrenzt sein wird. Beschaffungsteams für OBC- und DC-DC-Projekte sollten frühzeitig Kommunikationskanäle zu Murata oder autorisierten Distributoren aufbauen.
Als Alternativen können, wenn 1210 keine zwingende Anforderung ist, TDKs C-Serie Hochspannungs-C0G (typischerweise in 1812 oder größer) oder Samsungs CL-Serie in Betracht gezogen werden. Es gibt jedoch keinen direkten Wettbewerber zum 1,25kV C0G 15nF im 1210-Gehäuse — Alternativen erfordern eine Neugestaltung des PCB-Layouts.
Technische Spezifikationen
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Gehäusegröße | 1210inch (3,2×2,5mm) |
| Temperaturcharakteristik | C0G (EIA-Standard) |
| Betriebstemperatur | -55°C bis +125°C |
| Kapazitätsbereich | 4,7nF bis 15nF |
| Toleranz | ±1% bis ±5% |
| Nennspannung (DC) | 1.250Vdc |
| Typische Anwendungen | OBC-Resonanzkreise, SiC-Snubber, HV DC-DC |
C0G bedeutet, dass dieses Bauteil hervorragende Stabilität über Temperatur, DC-Bias und Zeit bietet. Im Gegensatz zu X7R/X5R zeigt C0G praktisch kein DC-Bias-Derating — Ingenieure können den Nennkapazitätswert ohne Derating-Faktoren verwenden.
Muratas erster 1210-1,25kV-C0G-MLCC schließt eine Miniaturisierungslücke bei Hochspannungs-Resonanzkondensatoren für OBCs mittlerer Leistung. Mit der Beschleunigung von 800V-Plattformen und SiC-Leistungshalbleitern werden Hochspannungs-C0G-MLCCs zu unverzichtbaren BOM-Komponenten. Movthing verfolgt kontinuierlich Technologietrends und Angebotsdynamik bei Hochspannungs-MLCCs. Kontaktieren Sie unser Engineering-Team für Muster oder technische Unterstützung.

